采集日期：2026-05-14
本文档记录 Micron HBM / HBM2E stacked DRAM 的公开可解析 PN 结构。当前 iTXTech fdnext DecodePack 先覆盖用户提供的 Micron 官方 HBM2E part-numbering 图中暴露的 MT54A... 结构；HBM3E / HBM4 官方产品页确认产品线仍在活跃演进，但暂未在公开页面给出同等级 PN token breakdown，因此不把 HBM3E / HBM4 token 写成确定规则。
- Micron HBM 产品页确认 HBM 是当前高带宽内存产品线，覆盖 HBM3E / HBM4 等 AI / HPC 方向。 https://www.micron.com/products/memory/hbm
- Micron HBM4 产品页确认 HBM4 当前公开规格方向，例如 2048-pin bus、>11.0Gb/s、>2.8TB/s。 https://www.micron.com/products/memory/hbm/hbm4
- Micron HBM2E part detail 页面确认
MT54A16G8080A00AC-32...属于 HBM2E 产品线。 https://my.micron.com/products/memory/hbm/hbm2e/part-catalog/part-detail/mt54a16g8080a00ac-32a-es-a-smpl - 用户提供的 Micron 官方
8GB/16GB HBM2E with ECC Featurespart-numbering 图确认MT54A16G8080A00AC-32:Atoken 顺序、density per channel、channel count、memory die count、package code、data rate、temperature range 和 die revision。
iTXTech fdnext DecodePack:
packages/core/src/decodepack/rules/packs/micron-hbm-token.jsonvendor.micron.hbm2e.mt54.v1
PN 结构：
| 结构 | 含义 |
|---|---|
MT54 + voltage + density per channel + channel count + memory die count + logic die variation + product variation + package + - data rate + optional temperature + : die revision |
Micron HBM2E with ECC |
voltage A |
1.2V |
density per channel 8G/16G |
8Gb / 16Gb per channel |
channel count 8 |
8 channels |
memory die count 04/08 |
4 / 8 memory die |
data rate 28/32 |
2.8 / 3.2 Gb/s |
package BF/AC |
4-High / 8-High code，当前不直接输出公开 package，以 dram_die_count 表达 DRAM 堆叠数量 |
| blank temperature | Commercial |
die revision A |
Rev A |
dram_type = HBM2Edram_density：按 density per channel x channel count 计算，单位 Mbit。dram_voltagechannel_countdram_die_countdram_speedoperation_temperaturedie_revisionecc_enabled
logic_die_code、product_variation_code、package_code 等原始 token 只保留在规则内部，不进入公开结果。HBM package token 目前只确认 4-High / 8-High 堆叠语义，没有公开 ball count / 尺寸时不输出 fields.package。
MT54A16G8080A00AC-28:A-B006MT54A8G8040ABF-32:A