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Samsung DRAM PN 规则

采集日期：2026-05-13

本页记录 Samsung standalone DRAM 颗粒的 PN 结构。规则只按结构化 token 解码，不把完整 PN 作为白名单；- 后缀缺失时仍保留可由主结构确认的容量、位宽、die/CS 以及主结构内的封装信息，只省略必须依赖 suffix 的封装、速度、温度等字段。

外部资料

iTXTech fdnext DecodePack 范围

  • 规则文件：packages/core/src/decodepack/rules/packs/samsung-dram-token.json
  • 规则 ID：vendor.samsung.dram.ddr3.component.v1、vendor.samsung.dram.legacy_standard.component.v1、vendor.samsung.dram.standard.component.v1、vendor.samsung.dram.ddr5.component.v1、vendor.samsung.dram.lpddr1.component.v1、vendor.samsung.dram.lpddr4_ordering.component.v1、vendor.samsung.dram.lpddr.component.v1、vendor.samsung.dram.legacy_gddr.component.v1、vendor.samsung.dram.gddr.component.v1
  • 当前覆盖：
    • SDR / DDR：K4S/K4H/K4T/K4B/K4A，覆盖 SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4。
    • DDR5：K4R，当前落地 AH/HE/BH density token。
    • LPDDR：K4X/K3P/K3Q/K4F/K4U/K3L/K3K，覆盖 LPDDR、LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X、LPDDR5/5X 的已确认 token。
    • Graphics DRAM：K4D/K4N/K4J/K4U/K4W/K4G/K4Z/K4V，覆盖 GDDR、GDDR2、GDDR3、GDDR4、Samsung graphics gDDR3/SDDR3、GDDR5、GDDR6、GDDR7 的结构化 density/org/package/speed token。

PN 结构

标准 DDR/SDR：

legacy SDR/DDR/DDR2/DDR3: K4 + family + density + width + bank + interface + revision + -package/temp/speed
DDR4: K4 + family + density + optional unit + width + package + revision + -suffix-package/temp/speed

DDR5：

K4R + density-code + width + bank + voltage + die-revision + -suffix-package/temp/speed

LPDDR：

LPDDR1: K4X + density + bit organization + bank + interface + revision + -package/temp/speed
LPDDR4/4X ordering: K4 + F/U + density/refresh + organization + bank + interface/voltage + generation + -package/temp/speed
LPDDR2+: K + family + density/stack token + package token + -suffix-package/temp/speed

GDDR：

legacy: K4 + family + density-code + width + org token + package token + -speed-prefix/temp/speed-grade
modern: K4 + family + density token + 325 organization token + package token + -suffix-prefix/temp/speed-grade

输出约定

  • 可确认的 stacked LPDDR token 拆成 dram_die_count 与 cs_count 输出，例如 K3QF1... 输出 dram_die_count=2、cs_count=1，不再把 DDP/QDP/ODP 作为公开表述。
  • K4X LPDDR1 从 bit organization 输出可确认的 CS / layout 信息；物理 die 数输出 dram_die_count，CS 输出 cs_count，2 CKE、JEDEC/Flexframe stack layout 等信息放 special_option。
  • K4W 输出 DRAM Type = DDR3，并用 DRAM Generation = Samsung graphics gDDR3/SDDR3 标注其不同于普通 K4B DDR3 命名线。
  • Graphics Selection Guide 的 base PN 行可以确认封装/电压/组织，但 speed bin 不等同于 PN 尾缀；无 -speed 尾缀时不得输出 dram_speed。表中 GDDR1 行在 public DRAM Type 中统一输出为 GDDR。
  • 标准 DDR/GDDR 颗粒在 datasheet 或官方页面确认单颗 die / 单 CS 语义时输出 dram_die_count=1、cs_count=1；DDR3/DDR4 suffix package type 表达 DDP/QDP 等堆叠封装但没有 CS 信息时只输出 dram_die_count，不补 cs_count。
  • Samsung 标准 SDR / DDR / DDR2 / DDR3 / DDR4 主结构里的最后一位 revision token 输出为 die_revision = "<token>-die"，例如 K4B...I 输出 I-die、K4A...WB 输出 B-die。
  • Samsung DDR4 K4A...5W... 主结构输出 bank_count=16、interface_type=POD (1.2V VDD/VDDQ) 与 solder_type=Lead-Free and Halogen-Free；这些来自主结构 token，不依赖完整 PN 白名单。
  • Samsung DDR3 / DDR3L / DDR4 的 dram_speed 按 Product Guide speed token 输出完整 CL / tRCD / tRP 时序，例如 DDR3-2133 14-14-14、DDR3L-1866 13-13-13、DDR4-3200 22-22-22；RB/TC/WD/YF/AE 这类 DDR4 alternate timing code 也按 ordering information 保留对应时序。
  • Samsung DDR5 完全遵守 Samsung DRAM 主结构拆分：AH/HE/BH 是容量，04/08/16 是位宽，5/6 分别是 16 / 32 banks，V 是 VDD/VDDQ = 1.1V 且 VPP = 1.8V，末位 B/M 等是 die revision；- 后缀中的第一位 B 与 DDR3/DDR4 suffix package token 定义一致，输出 single-die 语义。QK/WM speed token 按 ordering table 输出完整 CL / tRCD / tRP 时序。
  • Samsung DDR3L 仍按标准化 dram_type=DDR3 输出，低电压由 dram_voltage=1.35V VDD 与 DDR3L-* speed label 表达；Y/M temp/power token 输出 normal power，K token 输出 1.35V 并把 Reduced Standby 放入 special_option；不新增公开 temp_code / power_code。
  • Samsung DRAM - 后缀按 token 拆解：标准 DDR/DDR5 为 suffix package / temp / speed，LPDDR 为 suffix package / temp / speed，GDDR 为 speed-prefix / temp / speed-grade；规则不以 BCIF、MCRC、MGCL、SC32 这类完整尾缀作为整体枚举键。
  • Config Code 只保留结构主配置，例如 8G08、AH08、3QF1、263238、52324、80325，不把完整 PN 或完整 base code 当配置码。
  • K4G family 继续按 GDDR5 规则处理；即使个别 Product Selection Guide 表格把 K4G... 行放在 DDR3 component 区域，也不能让 DDR3 规则以更高优先级覆盖 K4G 的 family 语义。
  • K4U 同时存在 LPDDR4X 与 legacy GDDR4 编码线；当 PN 命中 K4U + density refresh + organization + bank + LVSTLE_06 + generation ordering 结构时，LPDDR4X 规则优先于 legacy graphics K4U52324Q 规则。

DDR4 package stack

Samsung DDR4 component PN 的 suffix 第一位是 package type：B 表示 flip-chip FBGA，M 表示 FBGA DDP。规则只从 package type 输出 die 数；CS / rank 不再由 package type 自动推断。

package type PN family output source tier
M K4A...-M... dram_die_count = 2, special_option = DDP Product Guide package token
2 / 3 standard DDR suffix dram_die_count = 2, special_option = 2H TSV / 2H 3DS package token
4 / 5 standard DDR suffix dram_die_count = 4, special_option = 4H TSV / 4H 3DS package token

仍不按 AG 或 K4AAG... base PN 单独推断 DDP；必须 suffix package type 为 M。例如同为 AG08 的 B... suffix 仍按普通 FBGA 处理。若外部资料只说明 DDP/QDP 而未稳定暴露 CS，public result 保留 dram_die_count，省略 cs_count。

大容量 configuration

高容量 token 只用于 density / width / package / speed 解析；除非 datasheet 或官方资料明确 die/rank/CS，不因为容量高或 suffix 相似就新增 dram_die_count 推断。

产品线 Token / Key 示例 输出
DDR4 BG08 K4ABG085WA-MCWE 32Gb, x8, 78-ball FBGA, DDR4-3200, dram_die_count = 2
DDR4 BG16 K4ABG165WB-MCWE 32Gb, x16, 96-ball FBGA, DDR4-3200, dram_die_count = 2
DDR5 AH04 / AH08 / AH16 K4RAH046VB-BCQK / K4RAH086VB-BCQK / K4RAH165VB-BCQK/BCWM 16Gb, x4/x8/x16, AH04/AH08 = 82-ball FBGA, AH16 = 106-ball FBGA, 5/6 = 16/32 banks, DDR5-4800/5600
DDR5 HE08 / HE16 K4RHE086VB-BCWM / K4RHE165VB-BCWM 24Gb, x8/x16, DDR5-5600 46-45-45
DDR5 BH04 K4RBH046VM-BCWM 32Gb, x4, 78-ball FBGA, DDR5-5600 46-45-45
LPDDR4X 4U6E3S4AA + suffix MGCL K4U6E3S4AA-MGCL 16Gb, x32, 1 die, 2 channels, LVSTLE_06, 200-ball FBGA, LPDDR4X-4266
LPDDR4 4F6E30 + suffix MGCJ K4F6E304HB-MGCJ 16Gb, x32, 2 CS, 2 channels, LVSTL_11, 200-ball FBGA, LPDDR4-3733
LPDDR4 4F8E3S + suffix MGCL K4F8E3S4HD-MGCL 8Gb, x32, 1 die, 2 channels, LVSTL_11, 200-ball FBGA, LPDDR4-4266
LPDDR4X 4U6E3S + suffix MGCL K4U6E3S4AB-MGCL 16Gb, x32, 1 die, 2 channels, LVSTLE_06, 200-ball FBGA, LPDDR4X-4266
LPDDR4X 4UBE3D + suffix MGCL K4UBE3D4AB-MGCL 32Gb, x32, DDP, 2 channels, LVSTLE_06, 200-ball FBGA, LPDDR4X-4266
LPDDR4X 4UCE3Q + suffix MGCL K4UCE3Q4AB-MGCL 64Gb, x32, QDP, 2 channels, LVSTLE_06, 200-ball FBGA, LPDDR4X-4266
LPDDR5X 3K:L3 + suffix K3KL3L30CM-JGCT / K3KL3L30CM-BGCU 64Gb, suffix 决定 x64/441 FBGA/7500 或 x16/496 FBGA/8533

Graphics Memory Selection Guide

该表只进入 base PN 结构规则，不按 speed bin 范围推导 dram_speed：

Type Base PN Density / organization Package Voltage Decode output
GDDR4 K4U52324Q 512Mb / 16M x32 136 FBGA 1.8V / 1.8V GDDR4, 512Mb, x32, no speed
GDDR3 K4J52324Q 512Mb / 16M x32 136 FBGA 1.8V / 1.8V GDDR3, 512Mb, x32, no speed
GDDR3 K4J55323Q 256Mb / 8M x32 136 FBGA 1.8V / 1.8V GDDR3, 256Mb, x32, no speed
GDDR2 K4N51163Q 512Mb / 32M x16 84 FBGA 1.8V / 1.8V GDDR2, 512Mb, x16, no speed
GDDR2 K4N56163Q 256Mb / 16M x16 84 FBGA 1.8V / 1.8V GDDR2, 256Mb, x16, no speed
GDDR1 K4D551638 256Mb / 16M x16 66 TSOPII 2.5V / 2.5V GDDR, 256Mb, x16, no speed
GDDR1 K4D263238 128Mb / 4M x32 144 FBGA 2.5V / 2.5V GDDR, 128Mb, x32, no speed
GDDR1 K4D261638 128Mb / 8M x16 66 TSOPII 2.5V / 2.5V GDDR, 128Mb, x16, no speed