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samsung_nand.md

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samsung_nand.md

File metadata and controls

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Raw

Samsung Raw NAND PN 编码

采集日期：2026-05-16

规则状态

iTXTech fdnext DecodePack:

  • packages/core/src/decodepack/rules/packs/samsung-raw-token.json
  • vendor.samsung.token.v1

来源状态：本轮维护中由用户提供 Samsung 3D V-NAND die 标识表；外部公开 reference 待补。规则只按结构 token 落地，不维护完整 PN 白名单。

PN 结构：

结构 含义
K9 + classification + density + organization + voltage + mode + generation + optional package / temperature / bad-block Samsung raw NAND token form
classification cell level and die count
density package density
organization bus width and SDR / Toggle DDR interface marker
voltage voltage option
mode configuration: CE / R/B count and option notes
generation generation code; may also feed process profile matching through FDB / die profile rules

第 6/7 位 Organization

第 6/7 位按 Samsung organization 表整体解析。DecodePack 公开输出 device_width、interface_type 和有增量信息的 interface_note：D8 / Y8 / B8 / W8 / K8 / S8 / A8 / C8 均只标注为 Toggle DDR，不再输出 Toggle DDR 版本号。Normal / DDR Normal 这类默认 note 不进入 public fields；K8 / S8 / A8 / C8 的 Channel / 封装厂 note 仍不进入 DecodePack note，也不进入 public fields。

Code Bus width public interface public interface_note Source note
00 NONE NONE
08 x8 SDR Normal
16 x16 SDR Normal
32 x32 SDR Normal
64 x64 SDR Normal
Z8 x8 SDR SSD SSD
D8 x8 Toggle DDR DDR Normal
Y8 x8 Toggle DDR HP HP
B8 x8 Toggle DDR HP w/ FBI Chip HP w/ FBI Chip
W8 x8 Toggle DDR Wafer Wafer
K8 x8 Toggle DDR
S8 x8 Toggle DDR
A8 x8 Toggle DDR
C8 x8 Toggle DDR

FBI 指 Frequency Boosting Interface。DecodePack 内部 note 保持 FBI 缩写，不把展开文本写入规则输出。

第 8 位 Operating Voltage Range

第 8 位 voltage token 按 Samsung operating-voltage 表输出。表中同一 code 有多行可选 VccQ 或宽范围组合时，public result 只保留一个合并后的主值；固定双电源组合才同时输出 Vcc / VccQ。完整来源行保留在下方 source table，避免丢失截图资料。

Code public voltage
0 NONE
A Vcc: 1.65V~3.60V
B Vcc: 2.70V (2.50V~2.90V)
C Vcc: 5.00V (4.50V~5.50V)
D Vcc: 2.65V (2.40V~2.90V)
E Vcc: 2.30V~3.60V
F / H Vcc: 3.30V (2.70V~3.60V); VccQ: 1.80V (1.70V~1.95V)
J Vcc: 2.50V (2.35V~2.75V); VccQ: 1.20V (1.14V~1.26V)
Q Vcc: 1.80V (1.70V~1.95V)
R Vcc: 1.80V (1.65V~1.95V)
S Vcc: 3.30V (2.70V~3.60V); VccQ: 1.80V (1.65V~1.95V)
T Vcc: 2.40V~3.00V
U Vcc: 3.30V (2.70V~3.60V)
V Vcc: 3.30V (3.00V~3.60V)
W Vcc: 2.70V~5.50V

完整来源表：

Code Vcc VccQ
0 NONE NONE
A 1.65V~3.60V -
B 2.70V (2.50V~2.90V) -
B 2.70V (2.50V~2.90V) 2.70V (2.50V~2.90V)
C 5.00V (4.50V~5.50V) -
D 2.65V (2.40V~2.90V) -
D 2.65V (2.40V~2.90V) 2.65V (2.40V~2.90V)
E 2.30V~3.60V -
F 3.30V (2.70V~3.60V) 1.80V (1.70V~1.95V)
H 3.30V (2.70V~3.60V) 1.80V (1.70V~1.95V)
J 2.50V (2.35V~2.75V) 1.20V (1.14V~1.26V)
Q 1.80V (1.70V~1.95V) -
Q 1.80V (1.70V~1.95V) 1.80V (1.70V~1.95V)
R 1.80V (1.65V~1.95V) -
R 1.80V (1.65V~1.95V) 1.80V (1.65V~1.95V)
S 3.30V (2.70V~3.60V) 1.80V (1.70V~1.95V)
S 3.30V (2.70V~3.60V) 1.80V (1.65V~1.95V)
T 2.40V~3.00V -
U 3.30V (2.70V~3.60V) -
U 3.30V (2.70V~3.60V) 3.30V (2.70V~3.60V)
U 3.30V (2.70V~3.60V) 2.70V~5.50V
V 3.30V (2.70V~3.60V) -
V 3.30V (3.00V~3.60V) -
V 3.30V (3.00V~3.60V) 3.00V~5.50V
W 3.00V~5.50V -
W 2.70V~5.50V -
W 2.70V~5.50V 2.70V~5.50V

第 3 位 Cell Level / Die Count

第 3 位 classification token 同时决定 cell level 和 die count。当前 DecodePack 按用户提供的 Samsung 表更新这些结构化 token；普通 SDP / DDP / QDP / ODP / HDP 等 stack mnemonic 只重复 die 数量，不进入公开输出。N / M 的 DSP (Dual Stack Package, 4-die x2) 比 die_count = 8 多表达封装拓扑，因此公开输出保留短写 die_stack = DSP (4-die x2)。

Token Cell Stack note die_count
T SLC Small Block SDP (1-die) 1
E SLC Small Block DDP (2-die) 2
R MLC 12DP (12-die) 12
F SLC SDP (1-die) 1
K SLC DDP (2-die) 2
W SLC QDP (4-die) 4
N SLC DSP (Dual Stack Package, 4-die x2) 8
Q SLC ODP (8-die) 8
V SLC HDP (16-die) 16
G MLC SDP (1-die) 1
L MLC DDP (2-die) 2
H MLC QDP (4-die) 4
M MLC DSP (Dual Stack Package, 4-die x2) 8
P MLC ODP (8-die) 8
U MLC HDP (16-die) 16
J MLC 3DP (3-die) 3
S MLC 6DP (6-die) 6
A TLC SDP (1-die) 1
B TLC DDP (2-die) 2
C TLC QDP (4-die) 4
O TLC ODP (8-die) 8
D TLC HDP (16-die) 16
1 TLC HDP (16-die) 16
3 QLC SDP (1-die) 1
9 QLC QDP (4-die) 4
X QLC ODP (8-die) 8
Y QLC HDP (16-die) 16
8 QLC 32DP (32-die) 32
2 SLC XD Card DDP (2-die) 2
4 SLC XD Card QDP (4-die) 4
5 MLC XD Card SDP (1-die) 1
6 MLC XD Card DDP (2-die) 2
7 MLC XD Card QDP (4-die) 4

注意：表中存在历史产品线复用 token 的情况，例如 D / S / R 等也在 SmartMedia 或 Small Block 分组出现。当前 raw NAND 规则沿用既有主线解释；如后续需要精确区分 SmartMedia / XD Card，应结合额外位置 token 或外部 datasheet 再拆规则。

第 4/5 位 Density

第 4/5 位为 package density。当前补入用户表中的 20 = 2Mb (256KB)。LG / ZG / NG / EG / GG 等 token 在 General / Legacy 表中存在重叠；为兼容已有 legacy 和本地 FDB 样例，本轮不把这些重叠 token 全局迁移到新 General 容量，后续若有可区分上下文再做结构化覆盖。

Die Density 工艺归一规则

Samsung raw NAND 的工艺归一不再使用 package density 直接匹配，也不再维护 single-die / package-level 两套表。DecodePack 先由第 3 位 classification 算出 die_count，再用 package density / die_count 得到 die_density，最后按 cell_level + die_density + generation suffix 匹配 die profile。

这条规则用于覆盖 FDB 中的旧 l 标记和错误 FlashID 关联：只要 DecodePack 根据 PN token 解析出 die_codename，FDB 不再覆盖该字段。

内部 profile key 使用 cell 后缀避免同一代际跨 SLC / MLC / TLC / QLC 混淆：MLC 后缀 M，QLC 后缀 Q，SLC 后缀 S，无后缀默认为 TLC。2D Samsung profile 对外只显示 xxnm，例如内部 SS14M / SS14S 均展示为 14nm；3D profile 对外保留 SSVxM / SSVxQ / SSVxS。

Cell Die density Suffix Profile
SLC 1Gb E / F SS21S / SS16S
SLC 2Gb D SS16S
SLC 4Gb E / F SS21S / SS16S
SLC 8Gb C / D / E / F SS27S / SS21S / SS19S / SS16S
SLC 32Gb A / M SS14S / SS21S
SLC 64Gb M SSV3S
SLC 128Gb M SSV5S
MLC 16Gb F SS27M
MLC 32Gb A / B / C / D / E SS27M / SS21M / SS19M / SS16M / SS14M
MLC 64Gb M / A / C / D / E / F SS21M / SS21M / SS19M / SS16M / SS14M / SS14M
MLC 128Gb B / D / M / A SS14M / SS14M / SSV1M / SSV2M
MLC 86Gb pMLC M SSV2M
MLC 256Gb M / A / B SSV3M / SSV4M / SSV5M
TLC 16Gb A / B SS21 / SS19
TLC 32Gb B / C / D / E SS27 / SS21 / SS19 / SS16
TLC 64Gb M / A / B / C / D SS27 / SS21 / SS19 / SS19 / SS16
TLC 128Gb M / D / F / C / E SS19 / SS16 / SS14 / SSV2 / SSV3
TLC 256Gb M / A / B / C / E SSV3 / SSV4 / SSV5 / SSV6 / SSV6C
TLC 512Gb M / A / B / D / E / F / G / H SSV4 / SSV5 / SSV6 / SSV7 / SSV6P / SSV8 / SSV7 / SSV8P
TLC 1Tb B / D / E SSV8 / SSV9 / SSV9HS
QLC 512Gb M SSV4Q
QLC 1Tb M / A / C / D SSV4Q / SSV5Q / SSV7Q / SSV9Q
QLC 2Tb M SSV9HSQ
  • K9AHGD8H0A：按 PN token 解析为 TLC 512Gb die density，suffix A，归一为 SSV5。FDB 中挂到该 PN 的 EC1E98AF84CD 会解到 SSV6，但它同时属于 K9AHGD8H0B / K9AHGD8J0B 等 V6 PN，视为 FDB FlashID 关联脏数据，不覆盖 DecodePack。
  • K9UKGB8S7F / K9PKGY8S4B：FDB l=SSV3，但 PN die density 规则分别归一到内部 SS14M，对外显示 14nm，用于纠正旧标记。
  • K9PMGY8S7M：FDB l=SSV2，但 PN die density 规则归一到 SSV3M。
  • K9DYGY8J5B-CCK0：TechInsights 确认其为 16 die package，内部 die 为 1Tb 236L TLC V8；外部 Flash ID 表和本地 FDB 同向记录 EC52EA3F8ECF。单个 EC52EA3F8ECF ID decode 为 512GB，4 组组成 K9D...YG... 的 2TB package。 https://www.techinsights.com/blog/samsung-k9dygy8j5b-cck0-236-layer-3d-nand-flash-advanced-memory-essentials https://www.techinsights.com/products/iwo-2310-801 https://bbs.wuyou.net/forum.php?mod=viewthread&tid=449091
  • K9DYGY8J5D：由用户补充为同拓扑 SSV9；当前未在本地 FDB 或公开检索中找到对应 Flash ID。
  • Samsung QLC V-NAND 使用 V4Q / V5Q / V6Q / V7Q / V8Q / V9Q / V9HSQ。QLC profile 由 DecodePack 的 cell_level + die_density + suffix 规则确定，不依赖 FDB l 字段补齐；PN 规则绑定 K9 后 classification + density 头部和末尾 revision，倒数第二位 mode 只影响 CE / R/B 拓扑，不参与制程判断。运行时会把 Samsung SSV4 / SSV5 / SSV6 / SSV7 / SSV8 / SSV9 / SSV9HS + QLC 归一到对应 SSVxQ。

输出字段

  • density
  • die_density
  • cell_level
  • die_codename
  • layer_count
  • die_stack（仅 N / M 的 DSP 拓扑）
  • die_count
  • ce_count
  • rb_count
  • special_option
  • device_width
  • interface_type
  • interface_note
  • voltage
  • package
  • product_class
  • operation_temperature
  • bad_block

classificationCode、densityCode、organizationCode、modeCode、generationCode、packageCode、opTempCode、badBlockCode 等 token 只用于内部解析，不进入公开字段。

第 10 位 Package

该位位于 generation 后，可选 - 分隔。只有 PN 中实际提供 package token 时才输出 package；没有 package token 或 token 未识别时不输出封装信息。公开输出只保留基础封装标签，格式统一为“封装类型-脚位 / ball 数”，例如 FBGA-316。资料表中的 dimension、Leaded / Pb-Free / Pb/Halo-Free、CU、Apple / ENT / V8 & later 等 notes 只用于文档和内部判断，不进入 public fields。

Samsung package code 在资料表中存在重复行，同一个 code 可能同时出现在 TSOP、LGA、BGA/FBGA、Card 或 Other 类别。当前 DecodePack 采用下表的公开默认标签；packageCode 本身不输出。

Code public package
1 FBGA-168
5 FBGA-63
7 FBGA-168
8 TSOP-I-48
9 TSOP-I-56
A FBGA-154
B FBGA-63
C FBGA-316
D FBGA-316
E FBGA-316
F FBGA-308
G FBGA-63
H BGA-132/136
I LGA-52
J FBGA-63
K LGA-52
L LGA-52
M LGA-52
N LGA-52
P TSOP-I-48
Q TSOP-II-44(40)
R TSOP-I-56
S TSOP-I-48
T BGA-152
U COB (MMC)
V WSOP-I-48
W Wafer
X FBGA-108
Y FBGA-108
Z WELP-48

第 12 位 Temperature & SmartMedia Color

该位位于 package token 后。DecodePack 把 product class 与温度范围分开输出：product_class 保存产品等级 / SmartMedia 颜色线索，operation_temperature 只保存温度范围。0 是 NONE / Wafer / CHIP BIZ / Exception Handling，不进入公开字段；SmartMedia 的 BLACK / BLUE 颜色折叠进 product_class，不新增单独 color 字段。

Code public product_class public operation_temperature Source note
0 NONE (Wafer, CHIP BIZ, Exception Handling)
3 Wafer Level 3
C Commercial 0~70C
E Extended Commercial -25~85C
I Industrial -40~85C
F Automotive Grade 3 -40~85C
H Automotive Grade 2 -40~105C
S SmartMedia BLACK 0~55C
B SmartMedia BLUE 0~55C

第 13 位 Customer Bad Block

该位位于 temperature token 后。DecodePack 只输出明确的坏块策略；0 的 NONE / Wafer / CHIP BIZ / Exception Handling 以及空白 J 不进入公开字段。K 是 Samsung Special Handling note，不再按 SanDisk bin 或坏块策略输出，公开落到 special_option。

Code public bad_block public special_option Source note
0 NONE (Wafer, CHIP BIZ, Exception Handling)
A Apple Bad Block
B Include Bad Block
D Daisychain Sample
E Enterprise MLC
J blank / reserved
K Special Handling Special Handling
L 1-5 Bad Block
N ini 0 blk, add 10 blk
S All Good Block

第 9 位 Configuration

该位是 generation 前一位，当前公开输出 ce_count / rb_count，以及非数值配置的 special_option。截图表中 2 / 3 另有 revoked option 行，本轮只采用未标记 revoked 的 nCE / RnB 拓扑，不把 revoked option 输出到 public result。

Code nCE RnB public note
0 1 1
1 2 2
2 4 2 revoked Mask Option 1 row is not public
3 3 3 revoked Fuse Option 1 row is not public
4 4 1
5 4 4
6 6 2
7 8 4
8 8 2
9 - - special_option = 1st Block OTP
A - - special_option = Mask Option 1
B 2 2 special_option = V4 512Gb eTLC HDP 168-FBGA
C 16 4
F - - special_option = Fuse Option 1
J 2 2 special_option = V3 256Gb eTLC HDP 316-FBGA
L - - special_option = Low Grade

这些规则用于补齐 K9X... / K99... 等 QLC 拓扑，以及 K9OVGD8J2B 这类 mode 2 的 4 CE / 2 R/B 拓扑。除 DSP 外，Samsung raw NAND 不公开 die_stack，只输出 die_count。

测试样例

  • K9OVGD8J2B
  • K9XVGB8J1M
  • K9XVGY8J5M
  • K9XVGY8J5A
  • K9XVGD8J5C
  • K99UGY8J5C
  • K9XVGD8J5D
  • K9AFGD8J0M
  • K9AHGD8J0A
  • K9AHGD8J0B
  • K9AHGD8J0D
  • K9AHGD8J0E
  • K9AHGD8J0F
  • K9AHGD8J0M
  • K9DVGY8J5E
  • K9DYGY8J5B
  • K9DYGY8J5D