Samsung UFS PN 编码资料

采集日期：2026-05-08

来源

Samsung UFS 3.1 KLUEG8UHDB-C2E1 官方页面确认 256GB、UFS 3.1、G4 2Lane、BGA 信息。 https://semiconductor.samsung.com/jp/estorage/ufs/ufs-3-1/klueg8uhdb-c2e1/
Samsung UFS 4.0 官方页面确认 G5 2Lane、9x13 封装、128GB 到 1TB 容量范围。 https://semiconductor.samsung.com/estorage/ufs/ufs-4-0/
Samsung UFS 4.1 官方页面确认 UFS 4.1 产品线、G5 2Lane 和 153 FBGA。 https://semiconductor.samsung.com/jp/estorage/ufs/
用户提供的 Samsung UFS 测试点 dump 表确认若干特定基础 PN 的 CE 数、die 数和单 die NAND marking。该表只用于 exact base PN 补充，不从 UFS PN token 泛化推断 CE / die。

packages/core/src/decodepack/rules/packs/samsung-ufs-token.json
- 规则 ID：vendor.samsung.ufs.token.v1

PN 结构	字段
`KLU` + density(2) + die count(1) + die type(1) + voltage(1) + controller(1) + generation(1) + package/version/temp	Samsung UFS
density `AG/BG/CG/DG/EG/FG/GG/HG`	16GB 到 2TB
die count `1/2/4/8/A`	1 / 2 / 4 / 8 / 16 die
controller `D/G/J/H/K`	UFS G4/G5 controller family
version `E/G/H`	UFS 3.1 / 4.0 / 4.1
`dumpedPartObj` exact base PN	用户测试点 dump 得到的 `ce_count` 与 `nand_component`

这里的纯堆叠数量输出为 die_count；CE 数只来自 dump 表，不从 die-count token 或其他 PN token 推导。

Samsung UFS 输出：

density：封装总容量，例如 512GB
die_density：单 die 容量，例如 512Gb
die_count：封装内 NAND die 数，例如 8
nand_component：特定基础 PN 的单 die NAND marking，例如 K9AFGD8J0B
ce_count：仅对 dump 表中列出的特定基础 PN 输出；不按 UFS PN token 泛化推断
die_codename：NAND die profile key，例如 SSV8；2D/3D 代际说明如需展示由 generation_info 承接

可信度 metadata 只在 iTXTech fdnext DecodePack tables.reference 内维护，不进入 fields。