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skhynix_nand.md

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skhynix_nand.md

File metadata and controls

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Raw

SK hynix NAND PN 编码资料

采集日期：2026-05-08

本文档记录 SK hynix raw NAND 与 E2NAND 料号在现有规则库中的覆盖范围。eMMC / UFS managed NAND 已拆分到独立文档：

来源

置信度与准入

规则库不做完整 PN 白名单匹配，只解析结构 token。每个 token 组合按外部佐证状态分三档：

状态 含义 处理
external_confirmed 原厂、TechInsights、TechPowerUp 等拆解/规格资料直接确认 PN、层数、die 或 package 容量 可作为确定规则与 testcase
external_table_confirmed flashinfo.top、论坛 flash-id 表、SSD dump、分销页面等外部网页与本地 fdb/fdfdb 同向 可进规则，但只在 iTXTech fdnext DecodePack tables.reference 内标明来源档位，不输出到 fields
local_pending_external_reference 仅本地 fdb/fdfdb 或 MPTool 数据，暂未找到外部网页 不删除候选，只在 iTXTech fdnext DecodePack 内部 metadata 标记；不作为“已确定”结论

单个 MPTool / fdfdb 条目可能乱写，不能单独提升为确定结论；至少需要本地多源一致或外部网页交叉确认。

规则入口

  • H27 / H2E / H2N raw NAND：packages/core/src/decodepack/rules/packs/skhynix-h27-raw-nand-token.json
    • 规则 ID：vendor.skhynix.h27.raw.v2
  • HY27 raw NAND：packages/core/src/decodepack/rules/packs/skhynix-hy27-raw-nand-token.json
    • 规则 ID：vendor.skhynix.legacy.token.v1
  • H25 NAND package / token：packages/core/src/decodepack/rules/packs/skhynix-h25-token.json
    • 规则 ID：vendor.skhynix.h25.gt-package.v2
    • 规则 ID：vendor.skhynix.h25.raw.v2
  • E2NAND：packages/core/src/decodepack/rules/packs/skhynix-e2nand-token.json
    • 规则 ID：vendor.skhynix.e2nand.h2d_h2j.v1
    • 规则 ID：vendor.skhynix.e3nand.h23q.v1

覆盖范围

前缀 / 结构 规则 说明
HY27... legacy raw NAND 旧式 Hynix/SK hynix NAND PN
H2DT... / H2JT... E2NAND H2D E2NAND2.0 与 H2J E2NAND3.0，按结构 token 分类
H23Q... E3NAND E3NAND managed NAND，按 density/config/package token 分类
H27... / H2E... / H2N... raw NAND H27/H2E/H2N ordering chart 路径，按 die stack 推导 die density，再判断 2D litho 或 3D HYVx profile
H25T... / H25G... H25T/G NAND package H25T/H25G 开头的 SSD/mobile NAND package 型号，按 token 组合推断 V6/V7/V8/V9Q
H25(非 T)... H25 3D/4D raw NAND token 按 voltage/cell/density/stack/config/generation token 推断 MLC/TLC/QLC 与代际
H26... 不属于 raw NAND 文档 已由 eMMC / e-NAND 文档覆盖
HN8... / H28S... 不属于 raw NAND 文档 已由 UFS 文档覆盖
H9... 不属于 raw NAND 文档 已由 eMCP / uMCP 文档覆盖

HY27 legacy raw NAND

PN 结构 字段
HY27 + voltage + topology + width(2) + density(2) + mode + generation + reserved + package + optional tail legacy raw NAND
voltage U/L/S/J/Q/T 电压 / VccQ 组合
topology cell level 与 die count
width 08/16/32 device width
density 64Mb 到 4Tb，按规则表映射
mode CE / RB / channel
generation generation code
package TSOP / WSOP / FBGA / LGA / wafer / KGD 等
optional tail package material、operation temperature、bad block policy

H27 / H2E / H2N raw NAND

H27 / H2E / H2N 使用同一张 ordering chart 规则，不再只把第 10 位输出成 numeric generation。规则仍按结构 token 解析，不维护完整 PN 白名单。

PN 结构 字段
H + product type(27/2E/2N) + voltage + density(2) + bus width + die stack + configuration + die generation + package + material + optional - + bad block + temperature + I/O speed raw NAND
product type 27/2E/2N 27 为普通 NAND Flash；2E 输出 special_option = Emulated；2N 输出 special_option = NVDIMM
voltage U/L/S/T/Q/J/B/C Vcc / VccQ 组合
density device density，先输出 density，再结合 die stack 计算 die_density
bus width 8/6/2/M/N/O/L/I/D x8 / x16 / x32；M/N 输出 Enterprise，O 输出 Structure 2，L/I/D 输出 Customized ECC，不输出 bus width code
die stack 输出 cell_level 与 die_count；TLC L = 16 die，X = 3 die，0 = 6 die
configuration 输出 CE / R/B / channel count；带 Sequential Row Read Enable / Disable note 的行额外输出 product_mode
die generation 结合 cell family 与计算出的 die density 判断 die_codename
package 输出确认过的 package type / pin / dimension，不输出 package code
material / bad block / temperature / I/O speed 输出 leaded / lead-free / halogen-free / wafer、wafer packing type、PGD/LAS/ZQ special option、bad block policy、operation temperature 与 speed_grade

H27 process key 使用 cell family:die density:generation code。其中 cell family 不是公开字段，只用于规则内部：S = SLC，M = MLC/eMLC/channel MLC，T = TLC/channel TLC。例：H27Q4T8LQA3R-BDH 为 4Tb package、TLC L 16-die，derived die density 是 256Gb；T:256Gb:A 映射 HYV4，不是按整包 4Tb 判断。

已进入规则的 H27 profile 映射：

Process key Profile
S:512Mb:C HY57
S:1Gb:B, S:4Gb:C, S:8Gb:M, M:2Gb:M, M:4Gb:B, M:8Gb:B, M:16Gb:M, T:32Gb:1, T:32Gb:M HY48
S:1Gb:C, S:2Gb:D, S:4Gb:E, S:16Gb:A, M:16Gb:B, M:32Gb:A, T:32Gb:A HY32
S:2Gb:C, S:4Gb:D, S:8Gb:A, S:16Gb:M, M:16Gb:A, M:32Gb:M, T:16Gb:M HY41
S:4Gb:F, M:32Gb:B, M:64Gb:M HY26
S:4Gb:G, M:32Gb:D, M:64Gb:C, M:64Gb:D, M:64Gb:E, M:64Gb:F, M:128Gb:M, M:128Gb:B, T:64Gb:M HY16
M:16Gb:C, M:32Gb:C, M:64Gb:A, M:64Gb:B HY20
M:128Gb:D, T:128Gb:B HY14
M:128Gb:A HYV1
M:128Gb:C, M:256Gb:M HYV2
M:64Gb:G HYV3M
T:128Gb:C, T:256Gb:B HYV3
T:256Gb:A, T:512Gb:A HYV4

H27 chart 中 TLC 128Gb + M 同时出现 16nm 与 3D V3 48L 两条，当前规则不对这个重复 key 输出确定 die_codename，只保留已能确定的结构字段。

H2D / H2J E2NAND

H2D / H2J 系列不是通用 raw NAND fallback。公开 catalog mirror 与 USBDev/Flash Extractor 外部表均把相关 PN 标为 E2NAND，其中 H2D... 对应 E2NAND2.0，H2J... 对应 E2NAND3.0。规则只按结构 token 解析，不枚举完整 PN。

PN 结构 字段
H2 + series + product + density(2) + config(3) + tech + package(3) + optional suffix H2D/H2J E2NAND
series D/J D -> E2NAND2.0；J -> E2NAND3.0
density CG/DF/DG/EG/FG/VG/1T 64Gb / 64Gb / 128Gb / 256Gb / 512Gb / 768Gb / 1Tb
config 8T2/8UD/8VD/8YD/8PD/8QD stack 与 die density 组合；公开输出 die_count / die_density，不输出 config code 或 die_stack
tech 与 series 组合判断 die profile，例如 D:1 -> HY26，J:1 -> HY16M，J:2 -> HY20
package H2D 输出 VLGA；H2J 输出 WLGA；原始 package code 只作为内部解析 token
package suffix R/S Non Shielded / EMI Shielded，输出到 special_option
示例 输出重点 佐证状态
H2DTDG8UD1MYR E2NAND2.0, 128Gb, x8, MLC, VLGA, 2MB block external_table_confirmed
H2JTDG8UD1BMS E2NAND3.0, 128Gb, x8, MLC, WLGA, 4MB block, 2-die, EMI Shielded external_table_confirmed
H2JT1T8QD1MMR E2NAND3.0, 1024Gb, x8, MLC, WLGA, 4MB block, 8-die, Non Shielded external_table_confirmed

H23Q E3NAND

H23Q 系列按 Q1'2016 databook line-up 进入 managed NAND，不归入 raw NAND fallback。规则只解析 density、config、package/shielding 这些结构 token，不维护完整 PN 白名单。

PN 结构 字段
H23Q + density(1/2) + config(3/4) + tech(1) + package(3) H23Q E3NAND
density D/E/F/1T 128Gb / 256Gb / 512Gb / 1024Gb
config G8UD/G8VG/G8YK/G8PG/8QK stack 与 die density 组合；公开输出 die_count / die_density，不输出 die_stack
tech 1 1ynm E3NAND
package WLGA
package suffix R/S Non Shielded / EMI Shielded，输出到 special_option
示例 输出重点 佐证状态
H23QDG8UD1ACS E3NAND, 128Gb, x8, WLGA, 4MB block, 2-die, EMI Shielded external_table_confirmed
H23Q1T8QK1MYR E3NAND, 1024Gb, x8, WLGA, 4MB block, 8-die, Non Shielded external_table_confirmed

除 H23Q E3NAND 外，其他 H23 结构仍不使用 unsupported fallback；有效 H26M/H26T 由 eMMC/e-NAND 文档和规则覆盖。

H25 NAND package / token

H25 目前分成两类结构处理：

  1. H25T... / H25G...：较新的 NAND package 标识，常见于 SSD 拆解、SSD database 和 flash-id 表。规则按 capacity + cell + generation + geometry + width + voltage + optional package 解析，不按完整 PN 白名单匹配。
  2. H25(非 T)...：raw NAND token 结构，按 voltage + cell + layout + density + stack + config + generation 解析。第 4 位是 operating voltage code，不参与 HYVx profile 判断；没有外部 reference 的 token 不删除，只标记待确认。为覆盖本地 FDB 中的短 PN / 局部 PN，H25 raw 规则只要求 H25 后存在至少 5 个 token 字符；长度不足或未在表中的 token 只跳过对应字段，仍输出 vendor / raw NAND 与已能确认的字段。

规则输出只保留结构字段，例如 density、cell_level、die_codename、process_alias 和 die_count。3D / 4D、层数、die 容量与 Toggle 接口属于 nand.die_profile 统一维护的信息，不在 H25 规则内重复组装公开 generation_info 文案。

3D / 4D die profile 补充

H25FT*、H25G* 和 H27* 是 die marking，不作为 firmware match。nand.die_profile 中 firmware 匹配继续保持 HYVx，die 标识只追加到 die_mark。

Profile 代际 Cell 层数 Die 容量 接口 Die marking
HYV2 3D V2 MLC 36 128Gb Toggle 2.0 / 400MT/s H27DGS8
HYV3M 3D V3 MLC 48 64Gb Toggle 2.0 / 400MT/s -
HYV3 3D V3 TLC 48 128Gb / 256Gb Toggle 2.0 / 400MT/s H27DGLG, H27EGLM
HYV4M 3D V4 MLC 76 256Gb Toggle 2.0 / 800MT/s H25EMB0
HYV4 3D V4 TLC 72 256Gb / 512Gb Toggle 2.0 / 800MT/s H27EGLM_72L, H25FT4MA0
HYV5 4D V5 TLC 96 512Gb Toggle 3.0 / 1200MT/s H25FT4MMI
HYV5Q 4D V5 QLC 96 1Tb Toggle 3.0 / 800MT/s H25GQM0
HYV6 4D V6 TLC 128 512Gb / 1Tb Toggle 4.0 / 1400MT/s H25FTB0, H25GTM0
HYV6Q 4D V6 QLC 128 1Tb Toggle 4.0 / 1400MT/s -
HYV7 4D V7 TLC 176 512Gb Toggle 4.0 / 1600MT/s H25FTC0
HYV7Q 4D V7 QLC 176 1Tb Toggle 4.0 / 1600MT/s H25GQA0
HYV8 4D V8 TLC 238 512Gb / 1Tb Toggle 5.0 / 2400MT/s H25FTD0
HYV8Q 4D V8 QLC 238 1Tb Toggle 5.0 / 2400MT/s -
HYV9 4D V9 TLC 321 1Tb 见具体 package 表 -
HYV9H 4D V9H TLC 321 1Tb 3600MT/s G-Die
HYV9Q 4D V9 QLC 321 2Tb 3200MT/s M-Die

HYV6 的公开 die density 需要按 die marking 区分：H25FTB0 为 512Gb，H25GTM0 为 1Tb。共享 nand.die_profile 只保留 HYV6 的层数、cell 与接口信息，H25T/G package 规则按 package density / die count 计算并输出 die density。

HY14 表示旧 2D 14nm profile，公开制程仍显示为 14nm。SK hynix Flash ID 中 E0 不能单独判作 HY14；当已解析 die size 为 1Tb 级且 cell 为 TLC 时，E* die code 归入 HYV9。

H25T / H25G NAND package

PN 结构 字段
H25 + capacity(2) + cell(1) + generation(1) + die stack(1) + bus width(1) + voltage(1) + optional Xddd tail + optional packing type SK hynix NAND package
capacity G9/T0/T1/T2/T3/T4/T5/T6 64GB / 128GB / 256GB / 512GB / 1TB / 2TB / 4TB / 8TB package density
cell M/T/Q MLC / TLC / QLC
generation 结合 cell 与计算出的 die density 判断 HYVx，不能全局写死 M/B/C/D/E
die stack 1/2/4/8/G/X 1 / 2 / 4 / 8 / 16 die；X 表示 wafer；CE/RB/channel 由该 token 和 package option 共同决定
bus width 8/X 8 = x8；X 表示 wafer
voltage E/C/G E / C / G 按 current table 输出 operating voltage range；不输出原始 voltage code
package option Xddd 三位 package & configuration option；完整 Xddd tail 参与 key，不退回只按前段合并
packing type N/R/M/A Normal (Tray) / Tape & Reel / Module / Wafer

公开结果中，H25T / H25G package 容量统一放在 density，不再重复输出 component_density；die density 由 package density / die count 计算，已知 package 堆叠使用数值 die_count / ce_count / rb_count / channel_count，不再输出字符串 die_stack。packing_type 输出可读出货形态，不输出 packing code。

已进入 current profile 映射的 generation key：

key profile
T:M:512Gb HYV5, TLC 512Gb, 4D V5 96L
T:B:512Gb HYV6, TLC 512Gb, 4D V6 128L
T:C:512Gb HYV7, TLC 512Gb, 4D V7 176L
T:D:512Gb HYV8, TLC 512Gb, 4D V8 238L
T:A:1Tb HYV5, TLC 1Tb, 4D V5 96L
T:M:1Tb HYV6, TLC 1Tb, 4D V6 128L
T:C:1Tb HYV8, TLC 1Tb, 4D V8 238L
T:D:1Tb HYV9, TLC 1Tb, 4D V9 321L
T:G:1Tb HYV9H, TLC 1Tb, 4D V9H 321L
Q:M:1Tb HYV5Q, QLC 1Tb, 4D V5 96L
Q:A:1Tb HYV7Q, QLC 1Tb, 4D V7 176L
Q:M:2Tb HYV9Q, QLC 2Tb, 4D V9 321L

图中 V10 375L 行没有清楚暴露 generation code；当前规则只解析已能确认的容量、电压、die stack、bus width 和 packing type，不把未知 code 绑定到新 profile。

结构 key / 示例 可确定内容 佐证状态
T2:T:B:8:8:E / H25T2TB88E-* HYV6 / H25FTB0, TLC, 128L profile, 512GB package, 8 x 512Gb die；E 电压按 current table 输出 external_confirmed
G9:T:M:1:8:E / H25G9TM18E HYV5 / H25FT4MMI, TLC, 96L profile, 64GB package, 1 x 512Gb die；alias 来自 nand.die_profile.die_mark external_table_confirmed
G9:T:C:1:8:C / H25G9TC18CX488 HYV7 / H25FTC0, TLC, 176L profile, 64GB package, 1 x 512Gb die external_table_confirmed
T2:T:C:8:8:C / H25T2TC88C-* HYV7 / H25FTC0, TLC, 176L profile, 512GB package, 8 x 512Gb die external_confirmed
T3:T:C:G:8:C / H25T3TCG8C HYV7 / H25FTC0, TLC, 176L profile, 1TB package, 16 x 512Gb die, 4 CE external_table_confirmed
T3:T:C:8:8:C / H25T3TC88C-X658-R HYV8, TLC, 238L profile, 1TB package, 8 x 1Tb die, Tape & Reel external_table_confirmed
G9:T:D:1:8:C / H25G9TD18CX576 HYV8 / H25FTD0, TLC, 238L profile, 64GB package, 1 x 512Gb die external_table_confirmed
T2:T:D:8:8:C / H25T2TD88C-* HYV8 / H25FTD0, TLC, 238L profile, 512GB package, 8 x 512Gb die external_confirmed
T4:T:M:G:8:C / H25T4TMG8C HYV6 / H25GTM0, TLC, 128L profile, 2TB package, 16 x 1Tb die, 4 CE external_table_confirmed
T0:Q:M:1:8:E / H25T0QM18E HYV5Q / H25GQM0, QLC, 96L profile, 128GB package, 1 x 1Tb die；alias 来自 nand.die_profile.die_mark external_table_confirmed
T0:Q:A:1:8:C / H25T0QA18CX542 HYV7Q, QLC, 176L profile, 128GB package, 1 x 1Tb die external_table_confirmed
T0:Q:A:X:X:B:X569:A / H25T0QAXXBX569A QLC wafer form；X die stack / bus width and A packing type both indicate wafer external_table_confirmed
T3:Q:A:8:8:C / H25T3QA88CX548 HYV7Q, QLC, 176L profile, 1TB package, 8 x 1Tb die external_table_confirmed
T4:Q:M:8:8:G / H25T4QM88G HYV9Q, QLC, 321L 2Tb M-Die profile, 2TB package, 8 x 2Tb die, 6-plane, 3200MT/s；G 电压按 current table 输出 external_confirmed
T6:Q:M:8:8:G / H25T6QM88G 8TB package density；profile 暂不绑定，避免把未确认 V10 code 写死 external_table_confirmed

维护者补充的 HYV9 package 表给出 128GB die 与 D18/D28/D48/D88/DG8 结构。00h Address ID 按每个 CE 的 stack 选择：SDP = AD89284B00E0，DDP = AD89294B00E0，QDP = AD892A4B00E0。Package 表中的 T 是厚度，公开 package 统一写成 x1.0mm / x1.35mm / x1.5mm；电压按表格写入 Vcc: 2.5V, VccQ: 1.2V，避免仅依赖 token 推测。

H25 的 X package tail 进入 FDB 时保留完整尾缀并去掉分隔符；带 -X... 分隔的输入统一归一为无分隔的 canonical PN。

PN ID 可确定内容
H25T0TD18CX655 AD89284B00E0 HYV9, 128GB package, 1 x 1Tb die, 1 CE / 1 R/B, 152-ball BGA 14x18x1.0mm
H25T1TD28CX656 AD89284B00E0 HYV9, 256GB package, 2 x 1Tb die, 2 CE / 2 R/B, 152-ball BGA 14x18x1.0mm
H25T2TD48CX657 AD89284B00E0 HYV9, 512GB package, 4 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 152-ball BGA 14x18x1.0mm
H25T3TD88CX676 AD89294B00E0 HYV9, 1TB package, 8 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 152-ball BGA 14x18x1.35mm
H25T3TD88CX658 AD89294B00E0 HYV9, 1TB package, 8 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 152-ball BGA 14x18x1.35mm
H25T4TDG8CX658 AD892A4B00E0 HYV9, 2TB package, 16 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 152-ball BGA 14x18x1.35mm
H25T2TD48CX659 AD89284B00E0 HYV9, 512GB package, 4 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 316-ball BGA 14x18x1.0mm
H25T3TD88CX660 AD89294B00E0 HYV9, 1TB package, 8 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 316-ball BGA 14x18x1.35mm
H25T4TDG8CX660 AD892A4B00E0 HYV9, 2TB package, 16 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 316-ball BGA 14x18x1.35mm
H25T2TD48CX862 AD89284B00E0 HYV9, 512GB package, 4 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.0mm
H25T3TD88CX860 AD89294B00E0 HYV9, 1TB package, 8 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.35mm
H25T0TD18CX826 AD89284B00E0 HYV9, 128GB package, 1 x 1Tb die, 1 CE / 1 R/B, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.0mm
H25T1TD28CX828 AD89284B00E0 HYV9, 256GB package, 2 x 1Tb die, 2 CE / 2 R/B, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.0mm
H25T2TD48CX809 AD89284B00E0 HYV9, 512GB package, 4 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.0mm
H25T3TD88CX811 AD89294B00E0 HYV9, 1TB package, 8 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.35mm
H25T4TDG8CX813 AD892A4B00E0 HYV9, 2TB package, 16 x 1Tb die, 4 CE / 4 R/B, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.5mm

维护者补充的 V9Q package 表确认 2Tb QLC M-Die，321L，6-plane；die speed 以 3200MT/s 为准，旧 3360MT/s 记法不再使用。X830 是 IF-Chip 变体，speed 为 2280MT/s。

PN ID 可确定内容
H25T3QM48GX817 AD780C5B30E0 HYV9Q, 1TB package, 4 x 2Tb die, 4 CE / 4 R/B, 4 channel, 316-ball BGA 14x18x1.0mm, Client, 3200MT/s
H25T4QM88GX819 AD780D5B30E0 HYV9Q, 2TB package, 8 x 2Tb die, 4 CE / 4 R/B, 4 channel, 316-ball BGA 14x18x1.35mm, Client, 3200MT/s
H25T5QMG8GX819 AD780E5B30E0 HYV9Q, 4TB package, 16 x 2Tb die, 4 CE / 4 R/B, 4 channel, 316-ball BGA 14x18x1.35mm, Client, 3200MT/s
H25T1QM18GX834 AD780C5B30E0 HYV9Q, 256GB package, 1 x 2Tb die, 1 CE / 1 R/B, 2 channel, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.0mm, Enterprise, 3200MT/s
H25T2QM28GX836 AD780C5B30E0 HYV9Q, 512GB package, 2 x 2Tb die, 2 CE / 2 R/B, 2 channel, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.0mm, Enterprise, 3200MT/s
H25T3QM48GX822 AD780C5B30E0 HYV9Q, 1TB package, 4 x 2Tb die, 4 CE / 4 R/B, 2 channel, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.0mm, Enterprise, 3200MT/s
H25T4QM88GX824 AD780D5B30E0 HYV9Q, 2TB package, 8 x 2Tb die, 4 CE / 4 R/B, 2 channel, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.35mm, Enterprise, 3200MT/s
H25T5QMG8GX830 AD780E5B30E0 HYV9Q, 4TB package, 16 x 2Tb die, 4 CE / 4 R/B, 2 channel, 154-ball BGA 11.5x13.5x1.7mm, Enterprise, 2280MT/s, IF-Chip

H25 raw NAND token

PN 结构 字段
H25 + voltage(1) + die density(1) + cell(1) + width/layout(1) + die count(1) + configuration(1) + generation(1) + tail SK hynix H25 raw NAND token
voltage Q/B/J operating voltage code；Q = Vcc 3.30V, VccQ 1.80V；B = Vcc 3.30V or 2.50V, VccQ 1.80V or 1.20V；J = Vcc 3.30V or 2.50V, VccQ 1.20V
die density E/F/G 32GB / 64GB / 128GB die，即 256Gb / 512Gb / 1Tb die density
cell M/T/Q MLC / TLC / QLC
width/layout 4/8/M x8；M 额外输出 Enterprise，4 由维护者按现有 FDB 候选暂定为 x8，该 token 只用于结构解析，不输出原始 code
die count A/B/D/F/G 1 / 2 / 4 / 8 / 16 die
configuration 1/3/4/5/6/A/B CE / R/B / channel 组合；表内 I/O 即公开输出中的 channel，A 额外表示 IF Chip
generation 结合 cell + die density 判断 HYVx profile；第 4 位 voltage 不参与 profile 映射，不能只按 generation 全局映射
package 8/9/2/3/D VBGA-152, 14x18x1.00 / LBGA-152, 14x18x1.35 / VFBGA-316, 14x18x1.00 / LFBGA-316, 14x18x1.35 / Wafer (PGD-2)
package material A/R whole wafer 或 lead/halo free；公开为 wafer、lead_free、halogen_free
bad block B/S/P Include Bad Block / 1~5 Bad Block / All Good Block
temperature C/D/E/M/I Commercial / Commercial 2 / Extended / Mobile / Industrial
I/O speed F/G/H/I/J 400 / 533 / 667 / 800 / 1200 MT/s

H25 raw package density 由 die density x die count 计算；公开结果中输出 density、die_density、die_count、ce_count、rb_count、channel_count、voltage、package、operation_temperature、bad_block 和 speed_grade，不输出 voltage / die density / configuration / generation / package code 等内部 token。长度不足或表内未知的尾部 token 继续跳过，不输出 Unknown。

已进入 profile 映射的 generation key：

key profile
M:E:B HYV4M, MLC 256Gb, 3D V4 76L
T:F:A HYV4, TLC 512Gb, 3D V4 72L
T:F:M HYV5, TLC 512Gb, 4D V5 96L
T:F:B HYV6, TLC 512Gb, 4D V6 128L
T:G:A HYV5, TLC 1Tb, 4D V5 96L
T:G:M HYV6, TLC 1Tb, 4D V6 128L
Q:G:M HYV5Q, QLC 1Tb, 4D V5 96L
示例 PN / token 可确定内容 佐证状态
H25QEM8A1B / Q:E:M:M:A:1:B HYV4M, MLC, 32GB package, 1 x 256Gb die, 1 CE / 1 R/B / 1 channel external_table_confirmed
H25QFT8A1A / Q:F:T:8:A:1:A HYV4, TLC, 64GB package, 1 x 512Gb die, 1 CE / 1 R/B / 1 channel external_table_confirmed
H25QFT8B3A / Q:F:T:8:B:3:A HYV4, TLC, 128GB package, 2 x 512Gb die, 2 CE / 2 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25QFT8D4A / Q:F:T:8:D:4:A HYV4, TLC, 256GB package, 4 x 512Gb die, 4 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25QFT8F4A / Q:F:T:8:F:4:A HYV4, TLC, 512GB package, 8 x 512Gb die, 4 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25QFT8F6A / Q:F:T:8:F:6:A HYV4, TLC, 512GB package, 8 x 512Gb die, 8 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25QFT8G4A / Q:F:T:8:G:4:A HYV4, TLC, 1TB package, 16 x 512Gb die, 4 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25QFTMA1A / Q:F:T:M:A:1:A HYV4, TLC, 64GB package, 1 x 512Gb die, 1 CE / 1 R/B / 1 channel external_table_confirmed
H25QFTMB3A / Q:F:T:M:B:3:A HYV4, TLC, 128GB package, 2 x 512Gb die, 2 CE / 2 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25QFTMD4A / Q:F:T:M:D:4:A HYV4, TLC, 256GB package, 4 x 512Gb die, 4 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25QFTMF4A / Q:F:T:M:F:4:A HYV4, TLC, 512GB package, 8 x 512Gb die, 4 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25QFTMF6A / Q:F:T:M:F:6:A HYV4, TLC, 512GB package, 8 x 512Gb die, 8 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25QFTMG4A / Q:F:T:M:G:4:A HYV4, TLC, 1TB package, 16 x 512Gb die, 4 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25BFT8A1M / B:F:T:8:A:1:M HYV5, TLC, 64GB package, 1 x 512Gb die, 1 CE / 1 R/B / 1 channel external_table_confirmed
H25BFT8A1B / B:F:T:8:A:1:B HYV6, TLC, 64GB package, 1 x 512Gb die, 1 CE / 1 R/B / 1 channel external_table_confirmed
H25BFT8B3M / B:F:T:8:B:3:M HYV5, TLC, 128GB package, 2 x 512Gb die, 2 CE / 2 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25BFT8D4M / B:F:T:8:D:4:M HYV5, TLC, 256GB package, 4 x 512Gb die, 4 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25BFT8F4M / B:F:T:8:F:4:M HYV5, TLC, 512GB package, 8 x 512Gb die, 4 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25BFT8F6M / B:F:T:8:F:6:M HYV5, TLC, 512GB package, 8 x 512Gb die, 8 CE / 4 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25JGT8A1A / J:G:T:8:A:1:A HYV5, TLC, 128GB package, 1 x 1Tb die, 1 CE / 1 R/B / 1 channel external_table_confirmed
H25JGT8A1M / J:G:T:8:A:1:M HYV6, TLC, 128GB package, 1 x 1Tb die, 1 CE / 1 R/B / 1 channel external_table_confirmed
H25JGT8B3M / J:G:T:8:B:3:M HYV6, TLC, 256GB package, 2 x 1Tb die, 2 CE / 2 R/B / 2 channel external_table_confirmed
H25JGQ8A1M / J:G:Q:8:A:1:M HYV5Q, QLC, 128GB package, 1 x 1Tb die, 1 CE / 1 R/B / 1 channel external_table_confirmed

当前未进入 profile 映射的候选，例如 B:F:T:8:A:1:Z 这类 generation 组合，仍可按结构输出容量、die density、die count、CE/R/B/channel；但在 profile 未确认前不输出 HYVx。

已知缺口

  • H25T/G package tail 仍只有部分表格确认：HYV9 X655 / X656 / X657 / X676 / X658 / X659 / X660 / X862 / X860 / X826 / X828 / X809 / X811 / X813，V9Q X817 / X819 / X834 / X836 / X822 / X824 / X830 已可输出封装尺寸和厚度；其他如 X321N / X535 / X630 仍只保留前段稳定 token。
  • 没有外部 reference 的 H25/H25T 候选不删除，但必须在 iTXTech fdnext DecodePack metadata 标记为 local_pending_external_reference 或进入本文档待确认列表，不能输出到用户可见解析结果。
  • H2 / HY27 的 topology、mode、generation 表来自既有规则表，后续应逐步补对应资料出处。
  • H26、HN8、H28S 已被更高优先级 managed NAND 规则拦截，不应在 raw NAND 文档中重复解析。
  • H9 已拆到 eMCP / uMCP 文档，不能用 raw NAND 规则兜底解释。