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跨厂商公开字段术语

采集日期：2026-05-15

本文档定义 fdnext result contract 中跨厂商共用的 canonical field keys。公开结果用 device 表达身份信息，用 subtitle 表达 decode 摘要，用 blocks[].fields[] 输出详情字段；每个字段使用稳定的 key / value / unit / display，语言包负责 label、display、block label、warning message 等展示文本，不改变 key。

维护规则：

  • iTXTech fdnext DecodePack 规则应直接输出 canonical snake_case field key，不维护旧 key alias。
  • 可信度、reference status、source、inference note 等维护信息只能留在 iTXTech fdnext DecodePack metadata 或文档中，不能进入公开 fields。
  • 未知值直接省略；不要为了填满旧响应形状输出 Unknown、空数组或 NAND-only 默认槽位。
  • vendor、chip_kind、product_type、part_number、identifier、id_scheme、marking_code 已由 device 承载，不再复制进 blocks[].fields[]。
  • config_code、package_code、controller_code、die_code、feature_code 以及其他 *_code token 只用于 DecodePack 内部解析，不进入用户可见 blocks[].fields[]；应优先输出 package、controller、die_revision、die_codename、special_option 等语义字段。speed_grade 例外，可保留原始 speed / grade token 并附带可读含义。
  • 容量数值字段沿用项目约定，value 使用 Mbit；NAND / managed NAND 的 display 使用 Bytes，DRAM 的 display 使用 bits。

Identity / Subtitle / Relation

字段 含义 常见 block
part_number 规范化后的 PN device.partNumber
vendor 厂商展示名 device.vendor
chip_kind raw_nand、managed_nand、dram 等芯片类别 device.chipKind
product_type eMMC、UFS、SATA、SAS、NVMe、eMCP/uMCP、E2NAND/E3NAND、LPDDR5X、DDR4 等产品线 subtype device.productType
identifier typed identifier 值，例如 NAND Flash ID device.identifier
id_scheme identifier namespace，例如 nand.flash_id device.idScheme
marking_code FBGA / package marking code device.markingCode

subtitle 只用于快速展示，不作为结构化解析依据。典型形态：

  • NAND PN：NAND Flash · KIOXIA · 32GB MLC
  • Managed NAND：eMCP · SAMSUNG · 8GB · 32Gb LPDDR4
  • DRAM：LPDDR5X · Micron · 64Gb · x64
  • NAND Flash ID：Micron · 8GB MLC · 1 die · 2 planes

关系使用 relations[] 表达：

  • identifier_for: PN 与 NAND Flash ID 的关系。
  • marking_for: marking code 与真实 PN 的关系。
  • alternate_part: 只从当前 PN 指向相关 PN 的单向关系，例如群联侧 PN 指向原厂 PN。
  • component: eMCP/uMCP 这类复合产品的 storage / DRAM 子组件。

当 relation 可以直接跳转到另一个解析动作时，使用 relations[].action 承载该动作；不要再额外输出独立的顶层 actions[]。

NAND / Managed NAND

字段 含义 示例
density 当前芯片或 storage 结果的容量，unit = Mbit，display 用 Bytes 65536 / 8GB
component_density 封装或组件总容量，常用于 MCP/eMCP/uMCP 子组件，display 用 Bytes 524288 / 64GB
component_voltage 封装或组件电压，不承载产品线或代际信息 3.3V
storage_density MCP/eMCP/uMCP 内 storage 子系统容量，display 用 Bytes 262144 / 32GB
die_density 单颗 NAND die 容量，display 用 Bytes 1024 / 128MB
die_codename NAND 用户可见制程名，公开 label 渲染为 Process / 制程；nand.die_profile lookup key 可以比公开值更具体 BiCS4 / 20nm
process_alias 制程代号或厂商工艺 alias，用于独立展示 X3-9060、8T23 这类匹配线索 X3-9060
die_stack 非纯数量的 NAND 堆叠结构或厂商结构代号；纯数量使用 die_count DSP (4-die x2), 2-Deck
die_count / ce_count / rb_count / channel_count / plane_count NAND topology 数量字段，统一使用 *_count key 2 / 2 / 2 / 4 / 4
page_size / block_size / sector_size page / block / sector 几何信息，字节字段使用 unit = byte 16384 / 16KiB
half_page_and_size 半页 / page-size 相关封装特征 true
generation_info NAND 产品代际、层数或制程节点 V8 236L
series_info 厂商系列说明 3D-V4
storage_interface managed NAND 或 MCP storage 接口 eMMC 5.1, UFS 4.0
interface_type 接口模式、Gear、lane 或 HS 模式 HS400, Gear 4 / 2-Lane
interface_note 接口 / 位宽组合表中有增量信息的 note，不用于默认 Normal HP w/ FBI Chip
toggle Toggle DDR 标记 DDR
controller / controller_revision 支持控制器列表或控制器版本 ["SM2244LT", "SM3270AC"], V4.41 EF
package_configuration MCP/eMCP/uMCP 封装内 storage / DRAM / eMMC / UFS 颗数组合，不表达封装尺寸 4 LPDRAM, 1 UFS
form_factor SSD / 模组类产品的整机或模组外形规格，不等同于芯片封装 2.5-inch, 7mm
dram_configuration MCP/eMCP/uMCP 中 DRAM 子系统的实际颗粒组成；当同一 PN 混用多种 DRAM die/part token 时用于保留组成细节 48Gb (4 x Y2BM) + 16Gb (2 x Y21N)
product_class / assembly / segment / sku 厂商产品等级、封装、产品分段或 SKU token 展开 Automotive Grade 2, Client Component
operation_temperature 工作温度范围 -40~105C
lead_free / halogen_free / wafer / multi_chip / cu 环保、晶圆、多芯片或铜工艺标记 true
bad_block 坏块策略 Include Bad Block
ecc_enabled 内部 ECC 状态 true / Yes

约定：

  • NAND 制程/代际匹配优先输出 die_codename，公开 label 渲染为 Process / 制程；已有 die_codename 时不再重复公开 generation_info / series_info。2D 公开值优先是 15nm / A19nm / 20nm 这类 litho；Kioxia / SanDisk 3D 公开值统一是 BiCS3 / BiCS4 / BiCS4.5，不带厂商和 Cell 后缀。层数使用独立 layer_count，并统一放在 NAND 主解析结果块，不放入封装细节；X3-9060、8T23 等工艺或 full-code 别名使用独立 process_alias。生成后的 FDB l 必须是 nand.die_profile key；泛化 xxnm 只有作为表内 fallback profile 时才允许保留，1ynm / 1znm / 泛化 3DVx 不再保留。
  • Micron / Intel 2D raw NAND 详情字段仍保留 litho 作为 die_codename，但 subtitle 优先使用 process_alias 中的 die codename，例如 M70M / L84A，避免列表摘要只显示泛化制程。
  • nand.die_profile 中的 firmware_match / die_mark 是匹配和维护 metadata，不默认输出到公开 result；整理过的 process_alias 可以公开展示。Kioxia / SanDisk 2D 固件侧默认归一为 2DM / 2DT；BiCS profile key 必须带厂商前缀，例如 KBiCS3 / SBiCS3，full code profile key 也必须带厂商前缀，例如 K7T23 / S7T23。Micron / Intel 3D 直接用 B16A 这类 die codename；2D 一般使用 IM2DS / IM2DM / IM2DT 区分 SLC / MLC / TLC，但 L7x / M7x / B7x、L8x / M8x / B8x、L9x / B9x 可直接用 die codename 匹配，公开制程分别补齐为 25nm、20nm、16nm。
  • storage_interface 与 product_type 完全重复时，优先保留更结构化的 identity 字段，除非接口字段含有版本、lane、gear 等增量信息。
  • iNAND、iSSD、moviNAND 等厂商品牌或系列名不作为 product_type；需要展示时放入 product_family 等稳定语义字段，解析中间用的 system / group 不进入公开 fields。SSD 类封装按接口归类为 sata / sas / nvme。

NAND Flash ID

NAND Flash ID 通过 decodeIdentifier / searchIdentifiers 输出，input.constraints.idScheme 和 device idScheme 均为 nand.flash_id。

字段 含义 常见 block
identifier NAND Flash ID identity
id_scheme nand.flash_id identity
density ID 推导出的容量 geometry
cell_level SLC / MLC / TLC / QLC geometry
die_count / ce_count / rb_count / channel_count / plane_count topology 数量字段 geometry
page_size / block_size / pages_per_block / blocks_per_lun NAND 几何信息 geometry
redundant_area_size / simultaneously_programmed_pages 冗余区大小和可同时编程页面数 geometry
voltage / interface_type / ecc_level 电压、接口模式和 ECC 要求 interface
timing_mode_async / edo / interleave / cache / revision timing / EDO / interleave / cache / revision 扩展字段 timing
enterprise Enterprise 标记 additional
controller 关联控制器列表 controllers

相关 PN 使用 identifier_for relation，不再拼进翻译后的字符串字段；可跳转时在 relation 上挂 action。

DRAM

DRAM / MCP DRAM 子系统使用以下字段，避免和 NAND 字段混用：

字段 含义 示例
dram_type DRAM 类型来源 LPDDR5X, DDR4, GDDR7
dram_density DRAM 子系统或 component 总容量，unit = Mbit 65536 / 64Gb
dram_die_density 单颗 DRAM die 容量 16384 / 16Gb
dram_die_count DRAM 子系统物理 die 数量，避免和 NAND die_count 混用 4
cs_count / channel_count DRAM CS/rank 或 channel 数量；可与 dram_die_count 同时输出 2
dram_generation DRAM 工艺/代际 1y-nm LPDDR4X, LPDDR5X
dram_speed DRAM 速率或 speed bin 8533 Mbps, DDR4-2666 CL19
dram_width DRAM 组织位宽，unit = bit 16 / x16
dram_voltage DRAM 电压/I/O 信息 VDD2 1.8V / VDDQ 0.6V
cas_latency DRAM CAS latency token 展开 13
die_revision DRAM die 修订或设计修订 Rev A, Rev E
solder_type 焊接/镀层类型 token 展开 100% matte Sn
special_option 不属于 die stack 的地址、CKE、layout 等特殊选项 Reduced page-size addressing
prod_status ES/MS/QS 等生产状态 ES

standalone DRAM 约定：

  • device.chipKind = "dram"，device.productType 使用 ddr4、lpddr5x 等短 product type。
  • dram_type 和 product_type 不写厂商名，也不保留冗余 SDRAM / SGRAM 后缀，例如不要使用 Micron DDR5 SDRAM。
  • dram_density / dram_width 已在主 DRAM block 输出时，不再复制到其他字段。
  • package / config 等厂商 code 只保留在规则内部；只有外部资料确认封装类型、脚位、尺寸或特殊封装信息时才输出 package。公开格式为 TYPE[-PIN][, DIM][, SPECIAL]；缺 pin 时输出 TYPE，不得推断脚位；未知 package 省略，不输出 Unknown。
  • dram_die_count 只表达 DRAM 物理 die 数；CS/rank 数用 cs_count，PoP/MCP 等封装信息放 package，reduced page address、2 CKE、JEDEC/Flexframe stack layout 这类非 die/CS 信息放 special_option。
  • - 后面的 speed / temperature / revision 后缀不作为主结构强制条件；缺失时仍应输出 vendor、product type、density、width、package、die stack 等已能确认的信息。

MCP/eMCP/uMCP 同时有 NAND 和 DRAM 时：

  • NAND storage 使用 storage_*、component_density、die_density、die_count、generation_info。
  • DRAM 使用 dram_*，其中 DRAM die 数使用 dram_die_count，不要复用 storage die_count。
  • 子组件用 component relation 表达，不把 storage 和 DRAM 字段压平成一个产品专属 key。